完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 鐘振輝 | en_US |
dc.contributor.author | ZHONG,ZHEN-HUI | en_US |
dc.contributor.author | 張秉衡 | en_US |
dc.contributor.author | ZHANG,BING-HENG | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:06:33Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:06:33Z | - |
dc.date.issued | 1989 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782159001 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/54359 | - |
dc.description.abstract | 近年來,在光電科學紅外線偵檢材料,有一支很重要的主流,那就是汞、鎘、碲的三 元合金(Hg Cd Te):( 以下簡稱MCT) MCT中鎘的含量( 即一般所謂的X 值) 會決定合 金能隙(energy gap)的大小, 在X 值介於0.17與1 之間時,它是一種半導體,其能隙介 於0 與1.605 電子伏特(eV)之間, 可以被用來偵測波長在0.77毫米以上的紅外線光波 。由於大氣層對於紅外線光譜在3-5 毫米,8-12 毫米二波段範圍內吸收較少, 這就是 所謂的大氣之窗(atmospheric widows),所以一般MCT 的化學成份都是針對這二段波 長範圍而調整。應用單溫區固態再結晶法可以生長出大晶粒的Hg Cd Te單晶。本實 驗主要是探討在固態再結晶法生長單晶過程中,再結晶熱處理溫度,再結晶熱處理時 間,降溫速率與降溫到達溫度先進因素,對625℃ 到636℃ 之間, 熱處理溫度愈高, 移動率愈高, 單晶尺寸愈大載子濃度愈低。在10天到13天之間, 熱處理時間愈長, 移 動率愈高, 載子濃度愈小, 單晶尺寸愈大。在1.8℃/Hr到0.6℃/Hr之間, 降溫速率愈 電, 移動率增加, 載子濃度減低,單晶尺寸則無變化。 嚴格控制熱處理溫度, 熱處理 時間,降溫速率與降溫到達溫度等因表, 將可生長出移動率大於400cm V s , 載子濃 度約1X10 cm的Hg Cd Tc單晶。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 單溫區 | zh_TW |
dc.subject | 固態再結晶法 | zh_TW |
dc.subject | 生長條件 | zh_TW |
dc.subject | 光電科學 | zh_TW |
dc.subject | 紅外線偵檢材料 | zh_TW |
dc.subject | ENERGY-GAP | en_US |
dc.title | HECDTE單溫區固態再結晶法生長條件研究 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 材料科學與工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |