表面處理與退火處理對LEC CaAs深能階特性之研究

Abstract

就砷化鎵金半場效電晶體(MESFET)的制造, 以半絕緣性的砷化鎵基板。以LEC 方法成 長的砷化鎵中EL2 深施體用作補嘗碳淺受體, 以得到半絕緣性的晶片。EL2 對MESFET 會影響其電性如背閘效施。 EL2 在經過處理后會有向外擴散的現象而使晶片表面轉換成P 型。本論文是以LEC 法 的undpoed 砷化鎵晶片來探討EL2 在經過退火處理電漿乾式蝕刻后的變化。 結果顯示用面對面覆蓋在850℃ 以上半小時退火處理下, 砷化鎵表面會轉換成P 型。 在800℃ 以下半小時退火處理乃保持半絕緣性, 由此可以證明EL2 向外擴散是由於As 的損失。 在電漿乾式蝕刻處理晶片EL2 分佈變化, 由近紅外光吸收測量, 可以得到整塊塊層的 EL2 濃度降低。