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dc.contributor.author何文章en_US
dc.contributor.authorHE,WEN-HANGen_US
dc.contributor.author張俊彥en_US
dc.contributor.authorZHANG,JUN-YANen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:07:17Z-
dc.date.available2014-12-12T02:07:17Z-
dc.date.issued1989en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782430112en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/54723-
dc.description.abstract本論文利用液相磊晶法(LPE) 在磷化銦(InP) 基板上成長砷化銦鎵(In Ga AS) 及閉管式鋅擴散技術(Closed tube Zn-diffusion technigue)以完成平台式p-i-n 感 光二極體之研製。經由X-射線繞射 (XRD),光激光譜(PL),及霍爾測試等量測獲得磊 晶層之電特性及光特性如下:在300K時,晶格不匹配(Lattice mismatch)小於-8×10 ,能隙為0.751 ev,載子濃度為8.5×10 cm ,載子遷移率為8700cm ╱V-S;在 77K 時,載子濃度為5×10 cm ,載子遷移率為24500cm ╱V-S 。另經由長時間烘 烤(Baking)成長溶液而獲載子濃度在300K時降至2.5×10 cm 之低值。至於元件特 性經由I-V,C-V,量子效率,及雜訊等量測獲得:在10伏特逆偏壓下之暗電流(Dar- k current)為16nA,電容為 7pF,未加抗反射層及偏壓 5伏特在1.3μm光源時之量子 效率為 52%(0.55A╱W),而在1.55μm 時為 55%(0.67A╱W)。最後經由雜訊頻譜(No- ise spectrum) 顯示在低於100Hz 之低頻有明顯的1╱f noise,而高於50KHz 之高頻 則有不隨頻率而變之shot noise及thermal noise 存在。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject液相磊晶法zh_TW
dc.subject磷化銦基板zh_TW
dc.subject成長砷化銦鎵zh_TW
dc.subject感光二極體zh_TW
dc.subject閉管式鋅擴散技術zh_TW
dc.subjectX-射線繞射zh_TW
dc.subject光激光譜zh_TW
dc.subject霍爾測試zh_TW
dc.title以液相磊晶法在磷化銦基板上成長砷化銦鎵p-i-n 感光二極體zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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