標題: 以液相磊晶法在磷化銦基板上成長砷化銦鎵p-i-n 感光二極體
作者: 何文章
HE,WEN-HANG
張俊彥
ZHANG,JUN-YAN
電子研究所
關鍵字: 液相磊晶法;磷化銦基板;成長砷化銦鎵;感光二極體;閉管式鋅擴散技術;X-射線繞射;光激光譜;霍爾測試
公開日期: 1989
摘要: 本論文利用液相磊晶法(LPE) 在磷化銦(InP) 基板上成長砷化銦鎵(In Ga AS) 及閉管式鋅擴散技術(Closed tube Zn-diffusion technigue)以完成平台式p-i-n 感 光二極體之研製。經由X-射線繞射 (XRD),光激光譜(PL),及霍爾測試等量測獲得磊 晶層之電特性及光特性如下:在300K時,晶格不匹配(Lattice mismatch)小於-8×10 ,能隙為0.751 ev,載子濃度為8.5×10 cm ,載子遷移率為8700cm ╱V-S;在 77K 時,載子濃度為5×10 cm ,載子遷移率為24500cm ╱V-S 。另經由長時間烘 烤(Baking)成長溶液而獲載子濃度在300K時降至2.5×10 cm 之低值。至於元件特 性經由I-V,C-V,量子效率,及雜訊等量測獲得:在10伏特逆偏壓下之暗電流(Dar- k current)為16nA,電容為 7pF,未加抗反射層及偏壓 5伏特在1.3μm光源時之量子 效率為 52%(0.55A╱W),而在1.55μm 時為 55%(0.67A╱W)。最後經由雜訊頻譜(No- ise spectrum) 顯示在低於100Hz 之低頻有明顯的1╱f noise,而高於50KHz 之高頻 則有不隨頻率而變之shot noise及thermal noise 存在。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782430112
http://hdl.handle.net/11536/54723
顯示於類別:畢業論文