完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 曾建賢 | en_US |
dc.contributor.author | ZENG,JIAN-XIAN | en_US |
dc.contributor.author | 汪大暉 | en_US |
dc.contributor.author | WANG,DA-HUI | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:07:18Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:07:18Z | - |
dc.date.issued | 1989 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782430118 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/54730 | - |
dc.description.abstract | 根據本研究群研究顯示,電子在多重量子井場效電效電晶體內的傳輸特性(例如電子 移動率)可能較單量子井元件場效電晶體優越。並且由於多重量子井場效電晶體具有 較高的電流密度及功率,因此在論文中,我們特別發展了一個多重量子井場效電晶體 熱電子模型以研究元件在操作時各個量子井內電子傳輸行為。此模型包括薛了格方程 式、二維帕松方程式和量子井內電子動量及能量傳輸方程式。除此之外,對於多重量 子井內本徵值的退化、分裂和波函數的穿透效應,在本論文中,也發展一特殊的數學 演繹法加以處理。 根據此模型,我們模擬半微米雙重量子井場效電晶體。由於元件內兩個量子井耦合所 造成的本徵值的分裂及波函數的穿透現象,因此我們特別對各個量子井內的濃度及電 流分佈也加以模擬。研究結果顯示,兩個量子井內的濃度及電流密度可以藉由閘極電 壓來調制,另外由於雙重量子井電晶體具有高電子濃度,源極雜散電阻也因此大幅降 低;臨界電壓則較結構相似的單量子井電晶體為高。另外在雙重量子井元件內電子速 度最高可到 6×10 cm╱sec,這個現象可以證明雙重量子井元件一個適合用於高頻的 元件。雙重量子井元件內,轉移電導值與閘極電壓關係圖上可見有兩個峰值,且閘極 電壓具有較大的操作範圍;至於雙重量子井元件與單量子井元件內的電容與電壓關係 ,則由於雙量子井元件內的邊境電容,也因此造成雙量子井元件的截止頻率較單量子 井元件為低。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 多重量子井場效電 | zh_TW |
dc.subject | 物理及傳輸特性 | zh_TW |
dc.subject | 電子移動率 | zh_TW |
dc.subject | 薛了格方程式 | zh_TW |
dc.subject | 二維柏松方程式 | zh_TW |
dc.subject | 量子井內電子動量 | zh_TW |
dc.subject | 能量傳輸方程式 | zh_TW |
dc.title | 多重量子井場效電晶體之物理及傳輸特性研究 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |