完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 朱萬文 | en_US |
dc.contributor.author | ZHU,WAN-WEN | en_US |
dc.contributor.author | 張俊彥 | en_US |
dc.contributor.author | ZHANG,JUN-YAN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:07:19Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:07:19Z | - |
dc.date.issued | 1989 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782430135 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/54749 | - |
dc.description.abstract | 複晶氧化層已在許多元件上應用,如:EPROM,EEPROM及類比電容等。當複晶氧化層做 得更薄時,它會遭受pinhole 密度增加以及對移動離子阻擋能力的減退等缺點。而且 ,由於底層複晶矽之凹凸不平,晶界處之突降以及底層氧化層的氧化速率隨著複晶矽 晶界方向而變,所以在雙層複晶矽間成長的介電質會有更差的崩潰電場。為了解決以 上問題,就有人提出ON及ONO 等複層介電質。因為ONO 複層介電質可降低pinhole 密 度,其中之氮化層可做為移動離子阻擋物,所以此ONO 複層介電質值得深入研究。 在本篇論文中,我們主要在研究雙層複晶矽間 200到 480埃厚度 ONO的電特性及可靠 性。使用乾氧法成長底層二氧化矽,LPCVD 法沉積氧化層,溼氧法成長頂層二氧化矽 。利用緩慢上升電壓應力,電流對電壓的量測,來討論介電層的主要傳輸機構。並分 別使用定電流應力及定電壓應力來研究介電層之陷阱效應。 傳統上,對於 ONO的最佳化是採用零時間電介質崩潰(TZDB)的數據,而本文則另採用 電介質依時崩潰(TDDB)的數據。結果發現,減少底層二氧化矽的厚度最能增加崩潰電 場,但若以十年百分之五十失效為參考值,則厚的底層二氧化矽較佳。所以,底層二 氧化矽品質提升及厚度控制是降低 ONO厚度的最重要關鍵。從電介質依時崩潰的數據 亦可得知 ONO的缺陷分布與複晶矽氧化層有很大的不同。最後,使用低溫成長非晶矽 再加上快速高溫退火取代傳統 625℃成長複晶矽,可大幅提高崩潰電場 2.8Mv╱cm | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 雙層複晶矽 | zh_TW |
dc.subject | 介電質 | zh_TW |
dc.subject | 移動離子 | zh_TW |
dc.subject | 崩潰電場 | zh_TW |
dc.subject | 電特性 | zh_TW |
dc.subject | 可靠性 | zh_TW |
dc.subject | 乾氧法 | zh_TW |
dc.subject | LPCVD 法 | zh_TW |
dc.subject | SiO ╱Si N ╱SiO | en_US |
dc.title | 雙層複晶矽間以SiO ╱Si N ╱SiO 為介電質之研究 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |