光化學氣相沈積法沈積氧化矽薄膜之研究

Abstract

本論文乃是研究在汞燈的照射下, 在汞原子存在的系統中, 矽烷及氧化氮的光化學 反應行為以及長成薄膜之特性. 在此, 我們設計并建造了一套光化學氣相沈積系統 , 而對長成薄膜作物性分析. 在薄膜性質分析上, 主要是以紅外光譜分析法, 并輔以Auger 電子光譜以及折射率 的分析, 來檢驗薄膜中化學鍵結的種類及特性. 我們亦可據此而分辨氧化矽與二氧 化矽薄膜, 并得到品佳薄膜品質的條件. 因此, 我們可以在矽及銻化銦晶片上, 在低溫下, 用光化學氧相沈積出矽氧薄膜, 并制成金氧半元件來. 經由電容一電壓以及暫態電容一時間的電性分析, 有助於膫 解矽氧膜中的電荷種類及電性。輔以理論分析, 則可得到介面陷阱密度, 在矽晶片 上, 可達 。在銻化銦上, 經由溴蒸氣處理后, 則可達 在反應機制的探討上, 我們嘗試以Langmuir-Hinshelwood表面反應理論來解釋在不 同條件下的沈積速率. 經由理論的計算, 我們得到表面反應能量與反應級數, 使得 我們對本反應系統有著更進一步的膫解.