完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
---|---|---|
dc.contributor.author | 盧文達 | en_US |
dc.contributor.author | LU,WEN-DA | en_US |
dc.contributor.author | 鄭晃忠 | en_US |
dc.contributor.author | 謝正雄 | en_US |
dc.contributor.author | 吳慶源 | en_US |
dc.contributor.author | ZHENG,HUANG-ZHONG | en_US |
dc.contributor.author | XIE,ZHENG-XIONG | en_US |
dc.contributor.author | WU,QING-YUAN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:08:11Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:08:11Z | - |
dc.date.issued | 1990 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792124024 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/55213 | - |
dc.description.abstract | 本論文對N型砷化鎵上鍍上了各種組成的接觸,經過不同的熱處理,研究其歐姆接觸 之特性。這些組成包含了以下的型式:Au╱Ni╱Ge╱GaAs和Au╱Co╱Ge╱GaAs。經過 兩種不同的熱處理, 分別是快速退火和在一般爐中退火。 X 光繞射是用來確定退火後所形成的反應物, 而掃描式電子顯微鏡是用來觀察這些接 觸系統退火前和退火後的表面型態。 電性方面的量測是採用Cox 和Strack所用的方法, 為了進一步了解各種歐姆接觸的熱 穩定性, 我們也做了長時間熱處理測試。實驗結果顯示Au╱Co╱Ge結構經過500℃ 快 速退火120 秒後, 它的接觸電阻係數大約是6.45×10 ohm-cm ,經過500 ℃爐溫退火 3 分鐘後, 大約是5.25×10 ohm-cm 。雖然Au╱Ni╱Ge比Au╱Co╱Ge有更低的接觸 電阻, 但是它的表面結構及熱穩定性都較差。經過450 ℃快速退火120 秒後, 接觸電 阻係數大約是3.37×10 ohm-cm ,經過450 ℃爐溫退火3 分鐘後, 大約是3.05×10 ohm-cm。 在另一方面, 為了解釋所有的電性特性, 我們提出歐姆接觸的機構, 這個機構分為四 部份。分別是(a )Ge摻質效應、(b )Ga-As 向外擴散效應、(c )Ge最大摻質濃 度的溶解度、(d )熱應力效應。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 砷化鎵 | zh_TW |
dc.subject | 歐姆接觸 | zh_TW |
dc.subject | X光繞射 | zh_TW |
dc.subject | 掃描式電子顯微鏡 | zh_TW |
dc.subject | Ge摻質效應 | zh_TW |
dc.subject | Ga-As向外擴散效 | zh_TW |
dc.subject | Ge最大摻質濃度的 | zh_TW |
dc.subject | 熱應力效應 | zh_TW |
dc.subject | AU╱NI╱GE╱GAAS | en_US |
dc.subject | AU╱CO╱GE╱GAAS | en_US |
dc.title | 砷化鎵上金╱鎳╱鍺與金╱鈷╱鍺歐姆接觸之研究 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 光電工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |