砷化鎵光導開關之應用及其研究

Abstract

我們使用半絕緣性砷化鎵，摻鉻之砷化鎵，經氫離子轟擊之砷化鎵及以MBE 低溫磊晶 砷化鎵，製成同結構合並式之光導開關，除量測元件特性做比較外，並應用於電光取 樣系統及作光電諧波混頻器之應用。 在電光取樣系統，目前已有10ps左右解析能力，相當於100 GHz 。而低溫砷化鎵亦具 有10.6ps左右的時域響應, 且此一結果目前為最受限於電光取樣系統的量測頻寬及雷 射本身脈衝寬度。如扣除限制, 低溫砷化鎵之時域響應約為1.6ps 左右。在暗電流方 面, 外加30V 電壓時, 僅約0.0027A,而靈敏度在外加30V 的電壓以連續光入射時約為 0.027A╱W,以脈衝入射時約為0.035A╱W。 在作光電諧波混頻器時, 用來使光脈衝與微波信號同步, 目前已可同步至12GHz , 且 利用此一系統來量測光導開關之頻寬, 比傳統之量測能獲得較寬的量測頻寬且信號強 20dB以上。