完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 蔡成宗 | en_US |
dc.contributor.author | CAI,CHENG-ZONG | en_US |
dc.contributor.author | 褚德三 | en_US |
dc.contributor.author | CHU,DE-SAN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:08:29Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:08:29Z | - |
dc.date.issued | 1990 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792429006 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/55324 | - |
dc.description.abstract | 本論文主要研究以脈衝式的雷射蒸鍍法及傳統的熱蒸鍍法來製作一高方向性的硫化鎘 薄膜。在實驗的過程中,我們採用了矽及玻璃這二種物質為基板,並改變不同的基板 溫度,以獲知在不同的實驗條件下,薄膜品質的變化。我們利用X-光繞射分析儀,掃 描電子顯微鏡、歐杰、電子分析儀,拉曼光譜儀及穿透率的量測,來獲知薄膜的特性 。結果我們已成功的製成高方向性且穿透率的硫化鎘薄膜,本文也比較此二種鍍膜方 法的優缺點,並討論如何改進的方法,最後,也與其他團體的研究成果比較。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 脈衝式雷射蒸鍍法 | zh_TW |
dc.subject | 熱蒸鍍法 | zh_TW |
dc.subject | 高方向性 | zh_TW |
dc.subject | 硫化鍋薄膜 | zh_TW |
dc.subject | 種物質為基數 | zh_TW |
dc.title | 利用脈衝式雷射蒸鍍法及熱蒸鍍法製作高方向性的硫化鍋薄膜 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子物理系所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |