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dc.contributor.author蔡成宗en_US
dc.contributor.authorCAI,CHENG-ZONGen_US
dc.contributor.author褚德三en_US
dc.contributor.authorCHU,DE-SANen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:08:29Z-
dc.date.available2014-12-12T02:08:29Z-
dc.date.issued1990en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792429006en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/55324-
dc.description.abstract本論文主要研究以脈衝式的雷射蒸鍍法及傳統的熱蒸鍍法來製作一高方向性的硫化鎘 薄膜。在實驗的過程中,我們採用了矽及玻璃這二種物質為基板,並改變不同的基板 溫度,以獲知在不同的實驗條件下,薄膜品質的變化。我們利用X-光繞射分析儀,掃 描電子顯微鏡、歐杰、電子分析儀,拉曼光譜儀及穿透率的量測,來獲知薄膜的特性 。結果我們已成功的製成高方向性且穿透率的硫化鎘薄膜,本文也比較此二種鍍膜方 法的優缺點,並討論如何改進的方法,最後,也與其他團體的研究成果比較。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject脈衝式雷射蒸鍍法zh_TW
dc.subject熱蒸鍍法zh_TW
dc.subject高方向性zh_TW
dc.subject硫化鍋薄膜zh_TW
dc.subject種物質為基數zh_TW
dc.title利用脈衝式雷射蒸鍍法及熱蒸鍍法製作高方向性的硫化鍋薄膜zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
顯示於類別:畢業論文