以氧電漿氧化砷化鎵所生成之氧化層做為抗反射層及原位光罩

Abstract

砷化鎵(100) 晶片, 經氧電漿處理300℃, 四小時後g-line(436nm)和i-line(365) 的 反光度由原來約45% 降至5%左右。而100℃, 15分鐘的氧電漿處理可將254nm的反光度 由72% 降至42%, 處理時間長達四小時後, 更可達20%左右。氧化層可經負型光阻HR-2 00曝光及鹼性溶液蝕刻, 選擇性保留氧化層。此氧化層可抗CCl F 添和璃子蝕刻選 擇比相當高, 應可作為原位光罩。將蝕刻氣體以CCl F :0 ＝18:2比例混合, 則砷 化鎵氧化層幾乎不受蝕刻, 甚至有沉積膜發生, 甚有利於原位光罩之應用。 砷化鎵晶片之反光度可因表面之氧化層而減少, 微影成像後阻劑線條的輸廓較不易失 真, 駐波及刻痕效應幾可完全消除。砷化鎵氧化層於CCl F 電漿下不受蝕刻或表面長 膜的特性, 應用為CCl F RIE 蝕刻砷化鎵的原位光罩, 可達高度選擇性蝕刻的要求。 對MMIC(Monolithic Microwave Integratcd Circuit) 要挖溶洞時, 需高選擇性原位 光罩, 有所幫助。