單層阻劑以鉀離子與矽化物進行物進行乾式顯影表面選擇性強化之機理探討

Abstract

商用正型阻劑AZ-1350J經deep UV 曝光, 以C H COOK╱Hexane溶液浸泡, 在非曝光 區產生吸附。 酚醛樹脂(Novolac) 濃度愈大, 氫鍵愈強。其氫鍵所形成之物理性交聯(physical cr osslinking) 會抑制矽化物之擴散, 而降低矽化程度。ICA(Indene Carboxylic Acid ) 的強極性會促進矽化物(HMDS)之擴散; DAQ(Diazoquinone) 極性弱, 與極性強的HM DS產生排斥作用, 以致於不易擴散。對ICA 矽化, 從ESCA光譜中Si有位移現象, 可能 ICA 與Si有鍵結, 但證據不充足, 有待更進一步探討。對ICA 進行矽化時, 亦觀察到 脫羧基反應。 酚醛樹脂矽化後以氫電漿前處理, 極板溫度100 ℃矽之去除速率快, 而極板溫度25℃ 時矽之去除速率慢。 以C H COOK╱n-Hexane溶液浸泡AZ-1350J商用阻劑時, 鉀離子在非曝光區物理吸附 。浸泡時間過久則曝光區與非曝光區皆吸附。 酚醛樹脂之濃度愈高, 則氫鏈愈強。其物理交聯所形成之立體障礙, 抑制矽化物擴散 , 而降低矽化程度。故酚醛樹脂濃度與氫鏈強弱成正比, 氫鏈強度與矽化程度成反比 。 HMDS的極性與ICA 之極性皆甚強, 故易擴散至ICA 中。與極性弱的DAQ 具排斥作用, HMDS不易擴散到DAQ 鹽片表面。由此知極性影響矽化物之選擇。