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dc.contributor.author朱美鈴en_US
dc.contributor.authorJU, MAY-LINGen_US
dc.contributor.author張翼en_US
dc.contributor.authorCHANG, Y.en_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:09:05Z-
dc.date.available2014-12-12T02:09:05Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802159002en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/55767-
dc.description.abstract砷化鎵半場效電晶體的自我調整閘製程中,閘極材料必需在高溫退火後仍能與砷化 鎵晶片保持良好的蕭基接觸。此研究即以反應式射頻濺鍍的鎢矽氮化物和鈦鎢矽化 物做為砷化鎵上之蕭基接觸,並探討其蕭基特性在不同退火溫度和濺鍍膜的矽含量 下的影響。 鎢矽氮化物薄膜是在混合的氮氣和氬氣的氣氛下濺鍍完成的,當膜中矽含量愈高時 ,鎢矽氮化物的結晶溫度也愈高,而且介面熱穩定性較佳,即使經過 950℃退火處 理,仍然保持非晶狀結構,而有效的抑制砷和鎵往外擴散,維持良好的蕭基特性。 鈦鎢矽化物薄膜是在氬氣氣氛中濺鍍形成的,當膜中矽與鎢的原子比例為0.36時, 高溫退火後會形成單一的 W□Si□,而且其與砷化鎵的蕭基接觸特性比其它成分的 薄膜穩定。鈦原子會加速鎢矽化物的形成,並降低結晶溫度,此外,高溫退火時, 鈦原子非常容易擴散至砷化鎵基材,而且砷原子也會擴散至薄膜,造成介面孔洞的 形成,因此退火後電性較差。 比較鎢矽氮化物和鈦鎢矽化物的特性,可知鎢矽氮化物是較適合做為電晶體的閘極 材料。zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject砷化鎵zh_TW
dc.subject鈦鎢矽化物zh_TW
dc.title鎢矽氮化物和鈦鎢矽化物在砷化鎵上蕭基接觸之研究zh_TW
dc.titleThe study of reactively sputtered WSiN and TiWSi as schottky contacts to GaAsen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department材料科學與工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文