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dc.contributor.author莊俊彥en_US
dc.contributor.authorCHUANG, JIUNN-YANNen_US
dc.contributor.author林鵬en_US
dc.contributor.authorLIN, PANGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:09:05Z-
dc.date.available2014-12-12T02:09:05Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802159006en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/55772-
dc.description.abstract本研究是以高週波磁控濺鍍法(RF MAGNETRON SPUTTERING) 製作氮化鋁薄膜,藉由 改變鍍膜參數如鍍膜壓力、N□/Ar混合比例、RF輸出功率及基板溫度等來影響薄膜 的性質,並以X光繞射法及穿透式電子顯微鏡來觀察晶長方向及微觀結構之變化, 以掃描式電子顯微鏡觀察表面結構以FTIR偵測薄膜內部化學鏈結合性質之改變。 於本文中,我們試著提出一個簡化的模型,以數學式: <1> = A' exp(-Q/2kT)*(τ)□/ □ 來解釋各種鍍膜參數對晶長方向的影響。此外,利用 TEM 及 Rocking curve 的分 析方法,發現由於斜向濺鍍的效應,使得(002) 柱狀晶體產生傾斜效應的特性。zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject高週波濺鍍法zh_TW
dc.subject氧化鋁薄膜zh_TW
dc.subjectRF MAGNETRON-SPUTTERINGen_US
dc.subjectALN FILMen_US
dc.title高週波濺鍍法製備方向性氮化鋁薄膜zh_TW
dc.titlePreparation of oriented aln films by R. F. sputteringen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department材料科學與工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文