硫化鎘薄膜的量子侷限效應的研究

Abstract

以雷射蒸鍍的方法在室溫中，蒸鍍不同厚度(500A至3500A) 的硫化鎘薄膜。我們利 用Nd:YAG雷射做為蒸鍍光源、P-型矽晶片為基板、純度99.999﹪的硫化鎘粉末為靶 ，來製做高方向性且不同厚度的硫化鎘薄膜。利用這些薄膜藉由拉曼光譜，我們可 以研究縱向光支聲子(LO)頻率、冷激光尖峰值等和厚度的關係。由實驗的結果，我 們觀察到當薄膜厚度減小時，縱向光支聲子頻率有紅移現象、冷激光尖峰值有藍移 現象，這些現象可能是由於顆粒小、維度小或薄膜與基板間的應力等所引起。我們 也發現當薄膜厚度減小時，譜線寬度隨之增加，我們的結果和理論的預測相符。另 外，1LO/2LO 的比率隨著硫化鎘的薄膜厚度減小而增加，這結果可以解釋為在較薄 的薄膜中束縛激子較少的原故。Ｓｉ－Ｏｒ峰值的向上移現象，可能是由於矽和硫 化鎘界面間的壓縮應力造成。