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dc.contributor.author邱靜儀en_US
dc.contributor.authorQIU, JING-YIen_US
dc.contributor.author溫增明en_US
dc.contributor.author郭義雄en_US
dc.contributor.authorWEN, ZENG-MINGen_US
dc.contributor.authorGUO, YI-XIONGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:09:23Z-
dc.date.available2014-12-12T02:09:23Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802429007en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/56006-
dc.description.abstract本論文的主要目的是利用低溫掃描穿隧式顯微鏡(LTSTM) 來觀察不同溫度下 (5K∼ 34K)之 2H-NbSe□單晶表面的charge density wave (CDW) 狀態。近來,掃描穿隧 式顯微儀(STM) 開始發展,由於它具有原子尺度的高解析能力,因此已成為研究表 面科學的重要工具。掃描穿隧式顯微儀的工作原理是利用一掃描探針和相距幾個A 左右的待測樣品之間的穿隧電流之變化來獲得樣品表面的影像,因為穿隧電流的大 小正比於樣品表面之費米能階的狀態密度 (local density of states),因此掃描 穿隧式顯微儀可用來偵測 2H-NbSe□單晶表面的charge density wave 狀態。 在研究CDW 的方式中,亦有利用中子繞射,電子繞射等方法來分析,其結果發現2H -BbSe□ 單晶在約35K 以下時會形成 incommensurate 的CDW 狀態。STM 不僅可量 測CDW 狀態的存在,同時可直接觀察原子尺度的CDW 結構,例如在液氦溫度時可觀 察到3a□×3a□的六方CDW 結構及表面原子結構。另外,我們亦可觀察到CDW 影 像中的缺陷結構。當溫度升高到約34K 左右時,我們發現CDW 狀態將會消失。zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject掃描zh_TW
dc.subject原子結構zh_TW
dc.subject單晶zh_TW
dc.title以低溫掃描穿隧顯微術研究2H-NbSe□單晶之電荷密度波狀態zh_TW
dc.titleThe study of charge density wave in 2H-NbSe□crystal using low temperature scanning tunneling microscopyen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
顯示於類別:畢業論文