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dc.contributor.author張峻榮en_US
dc.contributor.authorZHANG, JUN-RONGen_US
dc.contributor.author陳衛國en_US
dc.contributor.authorCHEN, WEI-GUOen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:09:24Z-
dc.date.available2014-12-12T02:09:24Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802429018en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/56018-
dc.description.abstract本文主要探討以 TEGa 和 TBAs 等新型前導物成長砷化鎵薄膜的反應動力學。在溫 度 450℃至 500℃附近最大磊晶效率遠低於質傳速率的限制。然而,2000 至 7000 micron/mole 的成長效率已屬合理,與TMGa 和Arsine 的成長效率相近。我們也詳 細探討在氣相中可能形成加合物和後續的寄生反應。而低溫特性所呈現35.6 Kacl/ mole之表面反應活化能和DEGa在砷化鎵表面釋出乙烯的脫附活化能相當,這顯示低 溫磊晶受制於三乙鎵在表面的不完全分解。另外,我們採用Hall量測和冷激光量測 來分析薄膜品質,試片的電子遷移率最高可達6859 cm□/Vsec。顯然,TEGa和TBAs 這一組新型前導物非常適合砷化鎵單晶薄膜之磊晶應用。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject反應機制zh_TW
dc.subject成長效率zh_TW
dc.subject薄膜zh_TW
dc.titleTEGa, TBAs氣相成長GaAs薄膜反應機制之研究zh_TW
dc.titleKinetic study of epitaxial growth of GaAs using TEGa and TBAsen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
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