完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 武可莊 | en_US |
dc.contributor.author | WU, KE-ZHUANG | en_US |
dc.contributor.author | 曾俊元 | en_US |
dc.contributor.author | 莊振益 | en_US |
dc.contributor.author | ZENG, JUN-YUAN | en_US |
dc.contributor.author | ZHUANG, ZHEN-YI | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:09:25Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:09:25Z | - |
dc.date.issued | 1991 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802429028 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/56029 | - |
dc.description.abstract | 本實驗的主要目的在於發展高品質碳化鈦陶瓷薄膜的交流濺鍍技術,碳化鈦薄膜具有 極高之硬度可增加工具鋼、模具鋼和沖模等磨耗生命,而且其具有良好的高溫強度和 耐蝕能力且可使用於高溫結構材料,另方面碳化鈦薄膜具有特殊之光學性質,在光學 材料上也有應用之潛能。 將設計與建立合乎要求之交流濺鍍系統,尋求成長高品質碳化鈦薄膜在鋼和鋁基板上 的製程條件,電子顯微鏡和X 光繞射法將用來作成長薄膜之相與顯微結構之分析,各 種物理性質如硬度、耐磨性、附著性之量測結果將與製程條件相互關連進而改善製程 以得到最佳化之結果。 實驗情形 (1) 已完成交流濺鍍系統之設計與建立,並運轉順利。 (2) 建立碳化鈦薄膜在鋼基板上低溫成長(300℃) 之技術。 (3) 完成薄膜成長最佳化製程條件之調定,基本上,在1 公分見方的鋼板上,已成功 地生長出表面光滑的碳化鈦薄膜。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 碳化鈦薄膜 | zh_TW |
dc.subject | 光學特質 | zh_TW |
dc.subject | 顯微結構 | zh_TW |
dc.subject | 最佳化 | zh_TW |
dc.title | 反應性交流高頻濺散法及碳化鈦鍍膜之研究 | zh_TW |
dc.title | Reactive radio frequency sputtered TiC-film | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子物理系所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |