加瑪射線照射半氧氮氧半之研究

Abstract

矽－氧－氮－氧－半是目前很普遍使用的記憶元件。因有許多特殊的電子系統應用 在加瑪射線環境下。所以我們想研究SONOS 經加瑪射線照射後的變化。高能量的加 瑪射線使矽，氧化矽，氮化矽產生許多破壞。這些破壞SONOS 的特性不同於原來。 我們主要是由電性上去觀察而非材料上。例如資料保持力變得較差，多次讀寫後讀 寫伏特差距變小，ONO 的導電增加，甚至元件的漏電也增加。主要原因仍是加瑪射 線照射產生的破壞。