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dc.contributor.author趙傳珍en_US
dc.contributor.authorZHAO, CHUAN-ZHENen_US
dc.contributor.author陳明哲en_US
dc.contributor.authorCHEN, MING-ZHEen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:09:29Z-
dc.date.available2014-12-12T02:09:29Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430042en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/56075-
dc.description.abstract在最近幾年中,人工類神經網路經驗到前所未有的快速成長。然而,唯有超大型積 體電路能實現大量平行特性的類神經網路所具有之龐大計算潛力。 歸因於浮閘金氧半電晶體所具有的類比式儲存及連結特性,其將是一個極有希望用 於完成神經鍵的類比式記憶元件。在這篇論文中展示EPROM 元件除了本身的小面積 與非揮發性優點外,並且實驗數據指出在高頻的操作狀態下可獲得精確的線性規劃 特性,其將為一可應用於完成神經鍵之類比與高解析度特性的好選擇。一個新的元 件結構被提出用以避免EPROM 無法電性抹除的缺點,其將期待更深入的研究。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject浮閘金氧zh_TW
dc.subject半電晶體zh_TW
dc.subject類比式記憶元件zh_TW
dc.title浮閘金氧半電晶體用於類比式記憶元件之研究zh_TW
dc.titleFloating-gate mos transistors as analog memory devicesen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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