完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 趙傳珍 | en_US |
dc.contributor.author | ZHAO, CHUAN-ZHEN | en_US |
dc.contributor.author | 陳明哲 | en_US |
dc.contributor.author | CHEN, MING-ZHE | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:09:29Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:09:29Z | - |
dc.date.issued | 1991 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430042 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/56075 | - |
dc.description.abstract | 在最近幾年中,人工類神經網路經驗到前所未有的快速成長。然而,唯有超大型積 體電路能實現大量平行特性的類神經網路所具有之龐大計算潛力。 歸因於浮閘金氧半電晶體所具有的類比式儲存及連結特性,其將是一個極有希望用 於完成神經鍵的類比式記憶元件。在這篇論文中展示EPROM 元件除了本身的小面積 與非揮發性優點外,並且實驗數據指出在高頻的操作狀態下可獲得精確的線性規劃 特性,其將為一可應用於完成神經鍵之類比與高解析度特性的好選擇。一個新的元 件結構被提出用以避免EPROM 無法電性抹除的缺點,其將期待更深入的研究。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 浮閘金氧 | zh_TW |
dc.subject | 半電晶體 | zh_TW |
dc.subject | 類比式記憶元件 | zh_TW |
dc.title | 浮閘金氧半電晶體用於類比式記憶元件之研究 | zh_TW |
dc.title | Floating-gate mos transistors as analog memory devices | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |