波長1.3微米磷砷化鎵銦/磷化銦半導體雷射之成長

Abstract

本論文之目的在建立利用液相磊晶的原理成長四元磷砷化鎵銦磊晶層在磷化銦基座 上所需要的技術，並藉用這一系列異質結構材料製造出發光波長1.3 微米之脊狀波 導雷射二極體。而這一範圍之發光波長的半導體雷射是現今光纖通訊中最主要的發 光源。 在本論文中，我們長出之四元磷砷化鎵銦磊晶層的最佳材料品質為：晶格匹配度 0.058﹪，20°Ｋ 的激光頻譜半高寬17毫電子伏特。而所製造出的脊狀波導雷射二 極體，實驗獲得之最低起始電流為350 毫安培，其共振腔長度為500 微米，凸脊寬 度10微米。而它的光輸出對激發電流之斜率效益可高達0.16瓦╱安培。