以CF□/CHF□/O□或CF□/NF□/O□對二氧化矽與經離子佈植的多晶矽之乾式蝕刻

Abstract

使用具有活性離子蝕刻(RIE)及電漿蝕刻(PE)的平行板蝕刻機，研究以CF□/CHF□/ O□ 或 CF□/NF□/O□當蝕刻劑，對未經離子佈植與經離子佈植(B□、P□、As□) 之多晶矽的蝕刻行為及其對二氧化矽之蝕刻速率比。 實驗結果顯示，經退火(Annealing) 處理之多晶矽，在電漿蝕刻及活性離子蝕刻中 ，其蝕刻速率皆隨佈植劑量之增加 (至10□ions/cm□) 而增加；未退火者，在RIE 中亦同。未退火者在PE（僅CF□/CHF□/O□氧體組合）中，佈植 P□、As□者，劑 量增加，蝕刻速率亦增，但 B□佈植者降低。在 CF□/NF□/O□(45:3:5.5 sccm， 300 mTorr，25W，66sec)RIE 系統中，經 P□(10□ions/cm□) 佈植退火處理之多 晶矽對二氧化矽之蝕刻速率比為43:1；在CF□/CHF□/O□(45:3:5.5 sccm, 300 mTorr，190 W，66 sec) PE系統中為16.5:1。當壓力 (至300 mTorr)、功率(至200 W)增加時，不同材質之多晶矽蝕刻速率隨之增加。