完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 李鴻生 | en_US |
dc.contributor.author | Li, Hong-Sheng | en_US |
dc.contributor.author | 陳家富 | en_US |
dc.contributor.author | Chen, Jia-Fu | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:09:59Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:09:59Z | - |
dc.date.issued | 1991 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804058001 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/56402 | - |
dc.description.abstract | 近來,我們致力於尋找能成長鑽石的新氣體源之際,發現不需加入大量氫氣也能合 成鑽石之氣體源。本研究採用微波電漿化學氣相沈積法。首先探討以CO□替代大量 氫氣的添加,嘗試以丙烷+二氧化碳作為反應氣體源,來合成鑽石的可能性和薄膜 的成長速率及析出物的表面形態,其次是探討在丙烷+二氧化碳系中添加微量的氫 氣,對合成鑽石的影響。 實驗結果顯示,使用CO□取代大量氫氣時,可以得到高品質的鑽石。並且可提高成 長速率生成的鑽石晶體為星形銳角多結晶體。在溫度 840℃時,丙烷+二氧化碳系 中鑽石薄膜的最大成長速率為 2.2μm/hr。這個值大約是在相同溫度下,丙烷+氫 系鑽石成長速率的一倍。反應溫度在 920℃時,可得最大成長速率,此時鑽石薄膜 的成長速率約可達 2.7μm/hr。當添加微量的氫氣時,鑽石的品質隨著氫氣的添加 量而逐漸變差,顯示除了碳氫化合物之微量氫氣之外,不需要添加額外的氫氣,即 能合成高品質的鑽石薄膜。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 鑽石合成 | zh_TW |
dc.subject | 氣相沈積法 | zh_TW |
dc.subject | 材料科學 | zh_TW |
dc.subject | 物理 | zh_TW |
dc.subject | DIAMOND-DEPOSITION | en_US |
dc.subject | MPCVD | en_US |
dc.subject | MATERIALS-SCIENCE | en_US |
dc.subject | PHYSICS | en_US |
dc.title | Diamond deposition and effect of adding hydrogen in C□H□-CO□ mixture by MPCVD | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 材料科學與工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |