Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 吳芳枝 | en_US |
dc.contributor.author | Wu, Fang-Zhi | en_US |
dc.contributor.author | 張秉衡 | en_US |
dc.contributor.author | Zhang, Bing-Heng | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:09:59Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:09:59Z | - |
dc.date.issued | 1991 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804159001 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/56418 | - |
dc.description.abstract | 底材的溫度以及加熱氧化的條件對於以電子槍蒸鍍純Ta靶而形成的 Ta□O□薄膜品 質有極大的影響。底材Si晶片的蒸鍍溫度為 100℃時 Ta□O□膜之漏電流較大,而 蒸鍍溫度為室溫則漏電流較小。熱處理時氧原子穿過 Ta□O□而與其下之 Si 反應 生成 SiO□於 Ta□O□/Si 界面。此 SiO□層之厚度隨氧化溫度的增加而變大。在 600 ℃ 或更低時所有的 Ta□O□膜均為非晶質結構;然而在 800℃ 或更高時,則 Ta□O□逐漸晶質化。且在晶質化的薄膜中有許多非晶質的Ta□O□殘留,它們分佈 於 Ta□O□的晶粒內部(尺寸較小者)以及晶界上(尺寸較大者)。隨著氧化溫度 的增加,Ta膜氧化的程度更加完全。由Ta氧化而成之 Ta□O□膜其晶格常數因氧化 程度之不同而略有不同,高溫時晶格較大。而本研究中,在 Ta□O□膜上加長一層 Si□N□以阻礙晶界的漏電流,而使得漏電流減小和崩潰電壓加大,亦即讓Ta□O□ 膜發揮更高的絕緣效果。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 氧化 | zh_TW |
dc.subject | 熱處理 | zh_TW |
dc.subject | 材料科學 | zh_TW |
dc.subject | 工程 | zh_TW |
dc.subject | OXIDATION | en_US |
dc.subject | MATERIALS-SCIENCE | en_US |
dc.subject | ENGINEERING | en_US |
dc.title | Characteristics of Ta□O□ films formed by oxidation of Ta films | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 材料科學與工程學系 | zh_TW |
Appears in Collections: | Thesis |