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dc.contributor.author許振榮en_US
dc.contributor.authorXu, Zhen-Rongen_US
dc.contributor.author溫增明en_US
dc.contributor.author郭義雄en_US
dc.contributor.authorWen, Zeng-Mingen_US
dc.contributor.authorGuo, Yi-Xiongen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:10:01Z-
dc.date.available2014-12-12T02:10:01Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804429005en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/56449-
dc.description.abstract經過不斷的嘗試與研究,我們的低溫掃描穿隧式顯微儀 (Low Temperature Scanning Tunneling Microscope; STM) 系統已能正常運作,並且可很容易於溫度 4.2K ∼ 300K之間得到石墨及 2H-NbSe□等層狀材料表面的原子影像。由於STM 的 種種優點,例如其具有原子尺度的高解析能力,非破壞性的觀察方式,以及可運用 於各種不同的環境,使得STM 最近廣泛成為研究表面科學的最佳工具。 在實驗的初步階段,我們遭遇到許多問題,以致於儀器不能正常工作,包括探針的 品質,DC電壓,步進馬達驅近,雜訊,避震處理等問題,最後都已一一克服。除了 HOPG 與 2H-NbSe□ 表面的原子影像外,我們亦可觀察到在低溫下 2H-NbSe□的 Charge Density Wave (CDW) 狀態,且當溫度高於某一特定溫度(約34K )時,其 CDW 狀態將會消失。另外我們以LTSTM 觀察本實驗室鍍出的高溫超導薄膜,增加我 們對高溫超導薄膜成長機制的了解,及樣品傳輸的重要性。另外,我們初步量測了 高溫超導薄膜的I-V 曲線,發現以LTSTM 量測I-V 曲線存在著許多問題,如樣品品 質(單晶大小),樣品的表面處理,熱漂移,DC位移等問題,還有待一一解決。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject原子影像zh_TW
dc.subject高溫超導薄膜zh_TW
dc.subject電子物理zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTROPHYSICSen_US
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title低溫掃描穿隧式顯微術zh_TW
dc.titleLow temperature scanning tunnel microscopyen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
顯示於類別:畢業論文