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dc.contributor.author張國雄en_US
dc.contributor.authorZhang, Guo-Xiongen_US
dc.contributor.author李建平en_US
dc.contributor.authorLi, Jian-Pingen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:10:02Z-
dc.date.available2014-12-12T02:10:02Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804430004en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/56455-
dc.description.abstract本論文目的在研究如何以分子束磊晶在低溫成長高純度的砷化鎵,砷化鋁鎵,以及 這些材料在量子井紅外線偵測器之應用。 首先基於材料的光致激發光譜與分子束磊晶系統生長環境的關連性,我們歸納出影 響磊晶層品質的主要因素,並成長異質接面雷射驗証低溫成長的砷化鋁鎵與高溫成 長的砷化鋁鎵具有相同的品質。我們在砷化鋁鎵內注入少量的銦,用以減少磊晶層 內的缺陷,明顯的改進砷化鋁鎵的品質,由光致激發光譜觀察到自由激子,證明我 們已長出目前最好品質的砷化鋁鎵。我們也在雙樟壁共振穿透結構中注入適量的銦 ,驗証銦對元件特性有正面影響。 砷化鋁鎵在過去十餘年被廣泛應用,但是幾種常被用以分析鋁在砷化鋁鎵含量的方 法都不精確,我們以高解析度電子顯微鏡,輔以高能量電子繞射,光致激發光譜以 及X-ray 雙晶繞射,定出精確分析鋁含量的方法。 二次成長是分子束磊晶技術重要一環,砷化銦薄膜常被用以保護二次成長前之磊晶 層。本論文中我們研究了砷化銦保護膜對砷化鋁鎵及量子井材質之影響。 在材料應用方面,我們研製了紅外線偵測器,對於這種元件操作機制作了整體性討 論,同時我們也研製了單一波段及雙波段的紅外線偵測器。此外,我們提出雙週期 光柵的新概念,以擴大量子井紅外線偵測器的反應頻寬。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject砷化鎵zh_TW
dc.subject砷化鋁鎵zh_TW
dc.subject紅外線偵測器zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title砷化鎵/砷化鋁鎵分子束磊晶成長及其在多重量子井紅外線偵測器之應用zh_TW
dc.titleGaAs/AlGaSa molecular beam epitaxy and its application to multiple quantum well infrared detectorsen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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