Investigations of gate/n□ overlapped LDD large-tilt-angle implantation

Abstract

熱載子效應已獲得證實對次微米元件具有很嚴重的影響，使用大傾斜角度植入來低 通道電場以抑制熱載子產生將被研究。本論文將探討兩種使用大傾斜角度植入的閘 極覆蓋低摻雜汲極元件（大傾斜角度植入汲極元件和表面相反摻雜－埋藏式低摻雜 汲極元件）。在本論文中我們提出一種新的元件結構稱為“表面相反摻雜－埋藏式 低摻雜汲極(SCD-BLDD)”元件，我們使用相反型態的摻雜(BF□)將ｎ﹣低摻雜汲極 的表面給互補，而所剩下的ｎ﹣外形則埋藏在矽中。表面相反摻雜－埋藏式低摻雜 汲極第一次被證明與傳統低摻雜汲極元件比較，能有效改善熱載子可靠度及元件特 性。大傾斜角度植入汲極元件也同樣被證明並與低摻雜汲極元件及表面相反摻雜－ 埋藏式低摻雜汲極元件做比較，表面相反摻雜－埋藏式低摻雜汲極元件只犧牲了一 點點的汲極電流，而獲得很大的熱載子可靠度改善。大傾斜角度植入低摻雜汲極元 件及表面相反摻雜－埋藏式低摻雜汲極元件很有希望應用在深次微米超大型積體電 路中。