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dc.contributor.author許慶松en_US
dc.contributor.authorXu, Qing-Songen_US
dc.contributor.author吳霖□en_US
dc.contributor.authorWU, LINGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:10:05Z-
dc.date.available2014-12-12T02:10:05Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804436001en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/56485-
dc.description.abstract微條線路在實際應用上均須以長方形金屬包封來包裝,包封具有多項好處,然而它 也會影響到微條線路的參數值,本文即利用時域-有限差分方法(TDFD)來分析包封 加諸於微條線路的效應,亦即我們分別探討上導牆及側導牆相對於金屬條距離對無 限長延伸之包封均勻微條傳輸線在等效介電常數及特性阻抗的迫近效應,同時,來 們改變金屬條寬度來分析金屬條寬度影響微條參數的情形,在本研究中,金屬條寬 度分別為W=h 及w=2h,其中w為金屬條寬度,h為基座高度。在探討上導牆對等效 介電常數及特性阻抗的迫近效應時,我們將兩側導牆的距離固定,而改變上導牆的 高度,每次間隔h高度;在分析兩側導牆對參數的效應時,我們將上導牆高度固定 在上導牆對參數不再有影響的高度,並改變兩側牆的距離,每次間隔2h。所有數值 模擬結果均圖示並歸納說明。 在工業上,常在包封導牆上鍍上一層電阻性薄膜來改善電路的特性。由數值模擬結 果得知,對w/h=1 ,包封大小為10h×7h 時,上導牆及兩對稱側導牆對特性阻抗及 等效介電常數的影響可忽略,在如此大小(10h×7h) 的包封微條結構中,我們在上 導牆鍍上一層電阻性薄膜,薄膜與上導牆間存在一介質常數9.7 的Aluminium 介質 層,數值模擬結果顯示,鍍上電阻性薄膜與無薄膜的包封微條線的特性阻抗及等效 介質常數幾乎完全一樣。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject主要模式zh_TW
dc.subject矩形遮蔽微條zh_TW
dc.subject迫近效應zh_TW
dc.subject電信zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectTELECOMMUNICATIONen_US
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title主要模式下矩形遮蔽微條特性的迫近效應分析zh_TW
dc.titleProximity effects on the dominant mode characteristics of a rectangularly shielded microstripen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電信工程研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文