統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Atomic-level investigation of the growth of Si/Ge by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition | 118 |
本月總瀏覽
| 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | 三月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Atomic-level investigation of the growth of Si/Ge by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition | 0 | 0 | 0 | 4 | 2 | 3 | 2 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| A1997XE73100087.pdf | 8 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 97 |
| 美國 | 19 |
| 日本 | 1 |
| 越南 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 95 |
| Buffalo | 5 |
| Menlo Park | 5 |
| Kensington | 4 |
| Beijing | 2 |
| Dover | 1 |
| Edmond | 1 |
| Hanoi | 1 |
| Los Angeles | 1 |
| Thousand Oaks | 1 |