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dc.contributor.author呂政鴻en_US
dc.contributor.authorCheng-Hung Luen_US
dc.contributor.author吳先生en_US
dc.contributor.authorDr. Lin-Kun Wuen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:10:51Z-
dc.date.available2014-12-12T02:10:51Z-
dc.date.issued1992en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT810436055en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/57040-
dc.description.abstract在本論文中我們藉由動差法來觀察鍍上電阻性薄膜的介質條在抑制二維開 槽矩形金屬空腔電磁共振現象之效果 ,得到的結果指出當電阻值等於 188.5 歐姆 ,介質常數等於4-j*0.4 時鍍上電阻性薄膜的介質條置於(1) 開槽處(2) 內徑之適當位置(3) 內徑靠近開槽處(4) 在整面背牆上可得到 良好的抑制效果然而當鍍上電阻性薄膜的介質條置於其它位置及 /或使用 較高之電阻值時便無法明顯地抑制此電磁共振現象 .此外由波導理論亦可 幫助我們尋找較適當的位置放置此鍍上電阻性薄膜的介質條 ,最後由奇異 值分解(SVD) 方法分析阻抗矩陣我們可以容易地由此觀察有損結構之共振 現象.zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject共振;雷達反射截面積;開槽zh_TW
dc.subjectResonances;RCS;sloten_US
dc.title開槽矩形金屬空腔之電磁共振及其抑制zh_TW
dc.titleResonancess in the EM Interaction with a Slotted Conducting Rectangular Cylinder and Their Suppressionsen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電信工程研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文