以光調制反射光譜技術量測砷化鎵薄膜的特性及砷化鎵/砷化鎵鋁量子線的研製

Abstract

本論文分兩部份，第一部份，我們以光調制反射光譜(PR)量測砷化鎵薄膜的特性，這 些薄膜是以有機金屬氣象沉積術分別在不同溫度下所磊晶成長的，由於PR光譜具有三 次微分的特性，砷化鎵薄膜的細微電子結構，在室溫下亦可由PR光譜分析而得。我們 也做了低溫冷激光(PL)的測量，由PR與PL光譜的比較我們不難發現PR確實為一種檢測 半導體材料及結構強而有力的工具。第二部份，我們以簡易方法製做量子線，我們用 標準的曝光，溼化學蝕刻，及磊晶術製做陣列量子線，同時我們証實V 型槽形狀傾斜 角度科可以由多層材料的厚度加以控制調整。