完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
---|---|---|
dc.contributor.author | 丁緯範 | en_US |
dc.contributor.author | DING, WEI-FAN | en_US |
dc.contributor.author | 褚德三 | en_US |
dc.contributor.author | CHU, DE-SAN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:11:10Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:11:10Z | - |
dc.date.issued | 1992 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT812429021 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/57282 | - |
dc.description.abstract | 本論文研究位於覆層量子點中心的似氫雜質之基態能階。其能量是由解等效質量近似 之薛丁格方程式所求得,方程式的解我們以惠泰克函數及庫倫波函數表示。計算的結 果顯示,當覆層很厚且覆層內的球半徑不太小時,球內的電子對覆層外的位壘並不敏 感。另外,我們發現當球半徑很小時,雜質的束縛能與覆層內外位壘差值有關。最後 ,我們也考慮了電子在不同材料中具有不同等效質量的情形。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 電子 | zh_TW |
dc.subject | 聲子 | zh_TW |
dc.subject | 交互作用 | zh_TW |
dc.subject | 量子點 | zh_TW |
dc.title | 雜質在覆層量子點中基態能階之研究 | zh_TW |
dc.title | Studies on the ground state energy of an impurity located at the center of coated quantum dot | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子物理系所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |