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dc.contributor.author葉孟書en_US
dc.contributor.authorYe, Meng-Shuen_US
dc.contributor.author祁甡en_US
dc.contributor.author溫盛發en_US
dc.contributor.authorQi, Shenen_US
dc.contributor.authorWen-Sheng, Faen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:11:21Z-
dc.date.available2014-12-12T02:11:21Z-
dc.date.issued1992en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT814124004en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/57437-
dc.description.abstract在本論文中,將討論均質譜線加寬和非均質譜線加寬效應對摻鉺光纖放大器增益飽和 現象影響。首先,推導低溫非均質模型描述摻鉺光纖放大器低溫操作時特性,另外與 均質模型模擬結果做比較。顯示非均質模型精確描述。接著,利用非均質模型與均質 模型計算附加摻鋁的摻鉺光纖放大器增益飽和特性。由於室溫時,均質譜線加寬擴展 至整個增益頻寬使得兩模型結果接近。最後,模擬附加摻鋁的摻鉺光纖放大器在波長 分項多工通信,做為光功率放大器。基於各波長訊號增益要求相等條件下,模擬結果 發現只有在λ=1.540微米附近頻帶或者提高光起能功率減緩飽和時,才能達到要求。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject摻鉺光纖zh_TW
dc.subject放大器zh_TW
dc.subject加寬效應zh_TW
dc.subject光電工程zh_TW
dc.subject光學zh_TW
dc.subjectOPTI-ELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.subjectOPTICSen_US
dc.title摻鉺光纖放大器非均質譜線加寬效應zh_TW
dc.titleInhomogeneous broadening in erbium-doped fiber amplifiersen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文