Reactive ion etching of InP and InGaP using CH□/H□mixtures

Abstract

本論文要旨在研究磷化銦及化銦鎵兩種化合物半導體在甲烷與氫氣混合電漿中的活性 離子蝕刻，所研究的相關變數包括蝕刻的時間、功率密度、甲烷與氫氣混合體積比、 壓力大小以及氣體的總流率等等。 其中，甲烷與氫氣的混合體積比是較為重要的參數，因為它影響晶片的蝕刻速率、聚 合物的沉積速率、表面的化學計量及非等向性蝕刻等結果較其它參數更顯著。當甲烷 與氫氣的混合體積比為1:3 時，蹸化銦及磷化銦鎵的蝕刻速度最大。在一般狀況下， 磷化銦的蝕刻速度約為磷化銦鎵的3~6 倍，我們所得到磷化銦及磷化銦鎵的最大蝕刻 速度分別為每分鐘1450及400 埃。 最後我們分別應用掃瞄式電子顯微鏡、二次離子質譜儀、歐傑電子能譜儀及X 射線光 電子能譜儀來檢查磊晶層厚度並分析各晶片在蝕刻後表面狀況。