矽化鉑/複晶矽接觸電阻之研究

Abstract

本論文旨在探討以傳統離子佈植，離子穿透矽化物(ITS) ，和離子穿透金屬(ITM) 技術所製備之矽化鉑╱複晶矽結構的接觸電阻。接觸電阻之測量係使用六端點卡文 (Kelvin)測試結構。本論文研究並以掃描式電子顯微鏡(SEM) 觀測此結構的表面及 剖面狀態，以探討其與接觸電阻關連性。Ｐ型複晶矽的接觸電阻小於Ｎ型複晶矽的 接觸電阻；而Ｐ型複晶矽中以ITS 方式製備之接觸結構的接觸電阻又小於以ITM 方 式製備之接觸結構的接觸電阻。若作為工業應用，本文建議使用ITS 方式製作Ｐ型 複晶矽之接觸結構，（BF□﹢之佈植量１×１０16ｃｍ﹣□），退火溫度750-800 ℃，或用ITS 方式製作Ｐ型複晶矽之接觸結構，（BF□﹢之佈植量１×１０16ｃｍ ﹣□），退火溫度650-800 ℃。