活性離子蝕刻技術在砷化鎵及二氧化矽基材中製作條狀,光柵與陣列結構的應用

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	杜安群	en_US
dc.contributor.author	An-Chiun Du	en_US
dc.contributor.author	戴國仇	en_US
dc.contributor.author	Kuochou Tai	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:12:04Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:12:04Z	-
dc.date.issued	1993	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT820429025	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/57989	-
dc.description.abstract	本文探討活性離子蝕刻砷化鎵,砷化鎵/砷化鋁鎵多層異質結構以及二氧化矽的各種蝕刻參數對蝕刻速率和蝕刻壁面方向性的影響o並在這些基材中製作條狀,光柵以及二維圓形陣列結構o使用的活性氣體分別為四氯化矽以及四氟化碳混合氧氣的氣體o在蝕刻砷化鎵的實驗中,藉由調整氣體壓力, 流量及功率密度,我們得到非等方性以及等方性二種蝕刻結果o利用紫外線單頻氬離子雷射全像干涉曝光技術以光阻作為光罩,我們成功地在砷化鎵上製作了週期為240 nm的光柵o同時從砷化鎵/砷化鋁鎵多層異質結構的蝕刻結果可知,利用四氯化矽活性離子蝕刻技術亦可蝕刻砷化鋁鎵這種材料, 但是其蝕刻表面上殘留了一層低揮發性物質o而在二氧化矽方面,我們亦得到一個良好平整度的蝕刻表面及非等方性蝕刻,並且製作了週期為527 nm 的二氧化矽光柵o	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	鞘層;活性基;暗帶	zh_TW
dc.subject	sheath; radical; dark space	en_US
dc.title	活性離子蝕刻技術在砷化鎵及二氧化矽基材中製作條狀,光柵與陣列結構的應用	zh_TW
dc.title	Fabrication of Stripe, Grating and Array Structures in GaAs/ AlGaAs and SiO2 by Reactive Ion Etching	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子物理系所	zh_TW
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