1. 目前位置：

完整後設資料紀錄
DC 欄位值語言
dc.contributor.author杜安群en_US
dc.contributor.authorAn-Chiun Duen_US
dc.contributor.author戴國仇en_US
dc.contributor.authorKuochou Taien_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:12:04Z-
dc.date.available2014-12-12T02:12:04Z-
dc.date.issued1993en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT820429025en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/57989-
dc.description.abstract本文探討活性離子蝕刻砷化鎵,砷化鎵/砷化鋁鎵多層異質結構以及二氧化 矽的各種蝕刻參數對蝕刻速率和蝕刻壁面方向性的影響o並在這些基材中 製作條狀,光柵以及二維圓形陣列結構o使用的活性氣體分別為四氯化矽以 及四氟化碳混合氧氣的氣體o在蝕刻砷化鎵的實驗中,藉由調整氣體壓力, 流量及功率密度,我們得到非等方性以及等方性二種蝕刻結果o利用紫外線 單頻氬離子雷射全像干涉曝光技術以光阻作為光罩,我們成功地在砷化鎵 上製作了週期為240 nm的光柵o同時從砷化鎵/砷化鋁鎵多層異質結構的蝕 刻結果可知,利用四氯化矽活性離子蝕刻技術亦可蝕刻砷化鋁鎵這種材料, 但是其蝕刻表面上殘留了一層低揮發性物質o而在二氧化矽方面,我們亦得 到一個良好平整度的蝕刻表面及非等方性蝕刻,並且製作了週期為527 nm 的二氧化矽光柵ozh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject鞘層;活性基;暗帶zh_TW
dc.subjectsheath; radical; dark spaceen_US
dc.title活性離子蝕刻技術在砷化鎵及二氧化矽基材中製作條狀,光柵與陣列結構的應用zh_TW
dc.titleFabrication of Stripe, Grating and Array Structures in GaAs/ AlGaAs and SiO2 by Reactive Ion Etchingen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
顯示於類別：畢業論文


相關內容
Loading...