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dc.contributor.author曹令東en_US
dc.contributor.authorCao, Ling-Dongen_US
dc.contributor.author楊賜麟en_US
dc.contributor.author劉保羅en_US
dc.contributor.authorYang, Si-Linen_US
dc.contributor.authorLiu, Bao-Luoen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:12:57Z-
dc.date.available2014-12-12T02:12:57Z-
dc.date.issued1993en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT824429001en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/58652-
dc.description.abstract本論文的第一部分，我們利用有限差分束傳輸法（Finite-Difference Beam Propagation Method；FDBPM ）計算在半導體Y 形分支結構中，電子波傳播的量子 干涉效應並分別計算不同分支角度與入射動能之間的關係。外加電場可使得電子偏 向其中的一個分支，隨著電子入射動能的不同，所加的偏向電場必須隨著入射電子 動能的增加而變，而與分支角度的變化沒有太大的相關性。在有外加電場時，固定 分支角度和入射動能，所獲得的反射機率通量大於不力電場的情形，從分支角度20 度到180 度都得到相同的趨向。同樣地，外加磁場也可使電子偏向，此偏向磁場的 大小亦隨電子入射動能增加而變大。但是在外加磁場時，進入分支的機率通量隨著 分支的角度的增大而變小。在第二部分中，我們用Wulff 的假設，計算半導體多層 結構化學蝕刻，在不均向蝕刻速率與材料間不同厚薄變化，對蝕刻後邊角的關係。 我們得到改變材料間的厚度可以改變蝕刻後V 形槽邊角的大小。 #9400567zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subjectFDBPM研究zh_TW
dc.subjectY形分支zh_TW
dc.subject電子物理zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subject電子波, 有限差分束傳輸法, Y形分支, V形槽, 濕蝕刻, 多層膜zh_TW
dc.subjectELECTROPHYSICSen_US
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.subjectelectron-wave, FDBPM, Y-Branch, V-groove, wet etching, multilayersen_US
dc.title利用FDBPM研究半導體Y形分支在外加電場與磁場下的量子效應與多層膜化學蝕刻的模擬計算zh_TW
dc.titleStudy of electronic Y-branch by beam propagation method and simulation of chemical etching on semiconductor multilayersen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
顯示於類別：畢業論文


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