利用N2O氧化物及疊形非晶矽結構(SAS)抑制P+多晶矽閘中Boron的穿透效應

Abstract

在本論文中，包含二種氧化物之四種型式的多晶矽閘結構被提及來抑制ｐ型金氧半 電容中硼離子的穿透。其中有N20 氧化物之疊型非晶矽結構能有效抑制硼的穿透。 由於疊型非晶矽結構提供曲折且較長的晶界和疊層界面有效阻止硼離子和氟離子擴 散到氧化物和矽基座。此外，N20 提供的氮原子也能阻止硼離子和氟離子擴散。因 此N20 氧化物之疊型非晶矽結構有一些好處反應在電性上。這些包含高的崩潰電場 ，大的崩潰電荷，和低的電子捕捉。其界面陷阱密度也很低。更甚者由硼離子的穿 透所引起VFB 電壓的漂移即使經過30分鐘退火在N20 氧化物之疊型非晶矽結構仍不 明顯。所以N20 氧化物之疊型非晶矽結構抑制硼的穿透上是很穩定的結構。