RAPID THERMAL DIFFUSION OF ZINC ATOMS IN GaAs，InP，GaP SEMICONDUCTORS

Abstract

本論文主要在探討Zn原子在GaAs，InP和GaP半導體中的快速熱擴散現象。Zn╱和ZnO ╱薄膜以共濺鍍（CO－SPUTTERING）方式，沈積在半導體基底上作為固體擴散源。而 雜質的擴散分佈是由二次離子質譜儀（SIMS）來檢測；雙晶x－ray繞射（DCXD）和拉 曼光譜的量測主要是用來作為雜質經濺鍍和擴散之後的晶格匹配和樣品表面的重構分 析。 基於取代－擠壓機制的模型，我們發現在快速熱程序（RTP）時，Zn的擴散主要決定 於溫度的變化過程，基底和擴散源間熱膨脹係數的差異所造成的應力為加強Zn在基底 中擴散的主要因素，由DCXD的結果顯示摻有Zn的GaAs和GaP樣品晶格匹配，而在InP的 樣品中其晶格不匹配的程度可達1.5×10。由拉曼光譜顯示當650℃，15秒快速熱擴散 時對測鍍有Zn╱和ZnO╱薄膜的GaAs基底表面有退火的作用。