深次微米互補式金氧半中靜電放電與阿爾法粒效應之研究

Abstract

本論文研究是利用晶格溫度與光產生引入至二維混合式電路與元件模擬來探討在深次 微米互補式金氧半中所關心的兩個效應：靜電放電與阿爾法粒法效應。首先，用一個 閘流體做暫態與熱特性分析來得到放電電流波形、陽極電壓波形、最高溫度隨時間變 化與功率隨時間變化。這些模擬結果可護我們更清楚了解故障原因與陰陽極之間距為 引發故障的重要因素。在另一方面，我們針對圓柱型P－N接面、金氧半電晶體與動態 記憶體單元在不同入射能量、不同入射角度、不同偏壓不同雜質濃度來探討阿爾法粒 子的效應。我們也做元件內部的電位分佈來了解漏斗效應。更進一步的，推導一接面 電流模型，此一公式對於不同入射能量與不同雜質濃度所模擬之圓柱型P-N接面的電 流波形相差不遠。