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dc.contributor.author范富傑en_US
dc.contributor.authorFan, Fu-Jieen_US
dc.contributor.author張國明en_US
dc.contributor.author羅正忠en_US
dc.contributor.authorZhang, Guo-Mingen_US
dc.contributor.authorLuo, Zheng-Zhongen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:16:27Z-
dc.date.available2014-12-12T02:16:27Z-
dc.date.issued1995en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT844430003en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/61242-
dc.description.abstract以低溫下成長極薄的高品質二氧化矽薄膜的技術,在未來次微米元件的應用上是不可 或缺的,而電子迴旋共振電漿氧化法是一個不錯的選擇。本篇論文主旨在研究在室溫 下以無偏電壓的電子迴旋共表氧電漿氧化矽基板的技術;並且我們也在氧電漿氧化步 驟前,在相同的腔體中施以一前置電漿處理步驟,所使用之氣體為氬氣、氫氣、氮氣 及氨氣。結果,發現有前置電漿處理步驟的二氧化矽成長速度比較快,所以前置電漿 處理步驟對矽基板有表面清的效果。因此,兩種成長過程的二氧化矽成長機制是不相 同的。同時,我們也發現氧電漿的氧化速度是微波功率、電漿壓力、前置電漿處理的 時間及氧化時間的函數。 利用以鋁膜及複矽晶膜為閘極的電晶體電容,分析電子迴旋共振電漿二氧化矽的電性 。以鋁閘極電晶體電容而言,閘極氧化層的崩潰電場在10∼14MV╱CM之間,而界面缺 陷密度及氧化層的有效電荷密度可分別低至∼6.2*。有前置電漿處理步驟的二氧化矽 有較高的崩潰電場及較低的界面缺陷密度和氧化層的有效電荷密度。由此可知,有前 置電漿處理步驟的二氧化矽有較佳的電性。同時,我們也利用複矽晶閘極電晶體電容 分析經過一些熱處理後,此電子迴旋共振電漿二氧化矽的電性。閘極氧化層的崩潰電 場約在13MV╱CM左右,而界面缺陷密度及氧化層的有效電荷密度可分別低至∼6.0*10 。 而且,在200MA/CM^2的固定電流密度的作用下,導至閘極氧化層崩潰的電荷密度可達 到9COUL╱CM^2。因此,利用前置氮電漿及氨電漿處理步驟可以改善電子迴旋共振電 漿二氧化矽的品質。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subject崩潰電場zh_TW
dc.subject有效電荷密度zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.titleCOMPREHENSIVE STUDY OF LOW-TEMPERATURE SILICON DIOXIDE FABRICATED BY ELECTRON-CYCLOTRON-RESONANCE(ECR) PLASMA OXIDATION WITH AND WITHOUT ECR PLASMA PRETREATMENTzh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文