ASTUDY OF THE AlGaAs╱GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS

Abstract

砷化鋁鎵╱砷化錠異質接面結構雙極性電晶體（HBTS）因其在高速類比及數位電路上 的應用性，近來頗受矚目。在此，我們研究了一些先進的製程技術。同時我們亦討論 了這種元件的高頻極限。 我們在論文的開頭即描述突變型和漸變型異質接面結構雙極性電晶體的模型。很明顯 地，漂移－擴散模型並不適用。因此我們採熱放射－擴散模型。我們利用一階近似推 導了高頻異質接面結構雙極性電晶體的小訊號參數。利用這種參數我們可以估計不同 的結構變數對電晶體高頻的影響。 在實驗上，我們發展一種不需要離子佈植，用以製作直流和高頻異質接面結構雙極性 電晶體的製程。這種製程包含了射－基極自動對準法，用以降低基極外圍電阻；微細 空氣橋，以隔離元件；鈀╱鍺╱鈦╱金－n型歐接面；以及重鉻酸鉀為主的選擇性溼 式蝕刻。最後我們使用掃描式電子顯微鐘來檢閱製作完的元作。 電晶體的高頻量測是利用HP－8510來完成的。開路與短路結構量測基熱同時被做在晶 片上用以扣除基墊的外在效應。另外我們也研究了? －攙雜對異質接面結構雙極性電 晶體的直流和高頻的影響。