應用於金氧半元件之高密度電漿蝕刻之研究

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	康宗貴	en_US
dc.contributor.author	鄭晃忠	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:18:22Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:18:22Z	-
dc.date.issued	1996	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT856430109	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/62543	-
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	應用於金氧半元件之高密度電漿蝕刻之研究	zh_TW
dc.title	Study of high density plasma etching for MOS devices	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文