統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Improved Radio Frequency Power Characteristics of Complementary Metal-Oxide-Semiconductor-Compatible Asymmetric-Lightly-Doped-Drain Metal-Oxide-Semiconductor Transistor | 110 |
本月總瀏覽
| 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | 十二月 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Improved Radio Frequency Power Characteristics of Complementary Metal-Oxide-Semiconductor-Compatible Asymmetric-Lightly-Doped-Drain Metal-Oxide-Semiconductor Transistor | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 3 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000276386100044.pdf | 8 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 95 |
| 美國 | 11 |
| 印度 | 2 |
| 澳大利亞 | 1 |
| 台灣 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 94 |
| Menlo Park | 7 |
| Kensington | 3 |
| Beijing | 1 |
| Edmond | 1 |
| Mount Morgan | 1 |
| Taipei | 1 |