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dc.contributor.author梅玉貞en_US
dc.contributor.authorMei, Yu-Janeen_US
dc.contributor.author張俊彥en_US
dc.contributor.authorChun-Yen Changen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:18:55Z-
dc.date.available2014-12-12T02:18:55Z-
dc.date.issued1997en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT860428015en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/62995-
dc.description.abstract本論文研究未來元件製造的內連線金屬化製程。在超大型積體電路中， 內連線的RC時間延遲對元件速度的影響變的比閘極RC延遲來的大，所以許 多半導體製造業者預測內連線金屬化製程所用之材料，朝向低介電常數材 料及抗電子遷移能力佳的金屬材料發展。在低介電常數材料方面，本論文 選擇兩種具有潛力的材料:摻氟二氧化矽及HSQ（hydrogen silsesquioxane）。在金屬材料方面則研究化學氣相沈積鎢及氮化鈦。摻 氟二氧化矽已知可降低二氧化矽的介電常數。然而摻氟二氧化矽暴露在空 氣中容易吸水，使得介電常數又再度上升。我們以含氮氣體N2O、NH3電漿 處理摻氟二氧化矽zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject低介電常數zh_TW
dc.subject化學氣相沈積zh_TW
dc.subject鎢zh_TW
dc.subject氮化鈦zh_TW
dc.subject摻氟二氧化矽zh_TW
dc.subject阻障層zh_TW
dc.subjectlow dielectric constanten_US
dc.subjectchemical vapor depositionen_US
dc.subjecttungstenen_US
dc.subjecttitanium nitrideen_US
dc.subjectfluorine doped oxideen_US
dc.subjectbarrier layeren_US
dc.title低介電常數材料與金屬（鎢、鈦與氮化鈦）化學氣相沈積在積體電路上的應用與研究zh_TW
dc.titleStudies of Low Dielectric Constant Materials and Metal(W、Ti and TiN) CVD for ULSI Applicationen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別：畢業論文


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