低介電常數材料與金屬（鎢、鈦與氮化鈦）化學氣相沈積在積體電路上的應用與研究

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	梅玉貞	en_US
dc.contributor.author	Mei, Yu-Jane	en_US
dc.contributor.author	張俊彥	en_US
dc.contributor.author	Chun-Yen Chang	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:18:55Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:18:55Z	-
dc.date.issued	1997	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT860428015	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/62995	-
dc.description.abstract	本論文研究未來元件製造的內連線金屬化製程。在超大型積體電路中，內連線的RC時間延遲對元件速度的影響變的比閘極RC延遲來的大，所以許多半導體製造業者預測內連線金屬化製程所用之材料，朝向低介電常數材料及抗電子遷移能力佳的金屬材料發展。在低介電常數材料方面，本論文選擇兩種具有潛力的材料:摻氟二氧化矽及HSQ（hydrogen silsesquioxane）。在金屬材料方面則研究化學氣相沈積鎢及氮化鈦。摻氟二氧化矽已知可降低二氧化矽的介電常數。然而摻氟二氧化矽暴露在空氣中容易吸水，使得介電常數又再度上升。我們以含氮氣體N2O、NH3電漿處理摻氟二氧化矽	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	低介電常數	zh_TW
dc.subject	化學氣相沈積	zh_TW
dc.subject	鎢	zh_TW
dc.subject	氮化鈦	zh_TW
dc.subject	摻氟二氧化矽	zh_TW
dc.subject	阻障層	zh_TW
dc.subject	low dielectric constant	en_US
dc.subject	chemical vapor deposition	en_US
dc.subject	tungsten	en_US
dc.subject	titanium nitride	en_US
dc.subject	fluorine doped oxide	en_US
dc.subject	barrier layer	en_US
dc.title	低介電常數材料與金屬（鎢、鈦與氮化鈦）化學氣相沈積在積體電路上的應用與研究	zh_TW
dc.title	Studies of Low Dielectric Constant Materials and Metal(W、Ti and TiN) CVD for ULSI Application	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
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