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dc.contributor.author王聖安en_US
dc.contributor.authorWang, Sheng-Anen_US
dc.contributor.author潘犀靈en_US
dc.contributor.author王興宗en_US
dc.contributor.authorPan, Xi-Lingen_US
dc.contributor.authorWang, Xing-Zongen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:19:19Z-
dc.date.available2014-12-12T02:19:19Z-
dc.date.issued1997en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT863124001en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/63339-
dc.description.abstract本論文中對於漸寬增益區半導體雷射在連續波波長可調,及飛秒脈衝注入放大兩部 分做了研究。對於波長可調實驗部分,利用本實驗室過去所發展之單波長與變波長 外腔式半導體雷射架構,在單波長調諧實驗結果中得知此類半導體雷射非常適合用 於單波長輸出的操作,系統具有波長調變範圍大、光譜線寬較有與輸出光功率變化 小的優點。雙波長輸出在外界環境與模態競爭強烈的因素影響下,較難得到穩定輸 出。我們首度報導新型的可程式化(programmable)波長調變半導體雷射,這是利用 特殊設計的螺線狀端面鏡,提供一個能達成多樣波長調變模式的外腔式半導體雷射 光源系統,另外也可用以線性掃描雷射光束,本系統的單波長調變範圍可達14nm寬 ,且其旁模抑制率可達30dB以上,在波長掃描速度上可達1400 nm/sec ,光束掃描 率為0.7 degrees/nm,該系統具有容易設計、緊緻性佳及商業價值高等優點。在飛 秒脈衝注入放大實驗部分,我們首度證明漸寬增益區半導體雷射將次皮秒級雷射脈 衝放大的可行性。利用非共線式自相關儀量測自相關軌跡與二倍頻訊號強度,可觀 察脈衝寬度隨注入電流變化的情形。我們也發展了一套計算放大後短脈衝能量所佔 比例的方法。研究結果中顯示漸寬放大器(tapered amplifier) 對次皮秒脈衝放大 的增益最大約10dB左右,隨著操作電流增加( 由低於閥值至1.63倍閥值 ),輸出脈 衝寬由267 fs增至441 fs,而輸出光譜頻寬則隨之減小,由轉換極限之觀點可以說 明脈衝隨電流增加而變寬約合理解釋,在閥值處總輸出中飛秒脈衝所佔比例僅68% 。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject漸寬增益區zh_TW
dc.subject半導體zh_TW
dc.subject雷射放大器zh_TW
dc.subject波長zh_TW
dc.subject飛秒光zh_TW
dc.subjectFemtoseconden_US
dc.subjectLaser-Diode Amplifieren_US
dc.subjectTapered-Waveguideen_US
dc.title漸寬增益區半導體雷射放大器應用之研究:波長調變與飛秒光放大zh_TW
dc.titleApplication of the Tapered-Waveguide Laser-Diode Amplifier Wavelength Tuning and Femtosecond Pulse Amplificationen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
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