用自我調適法對p型金氧半電晶體在強反轉模式下能階的計算

Abstract

在本論文中，將藉由自我調適法，去計算基座為p型的金氧半電晶體在強反轉模式下的各能階，以及電子在各能階上的平均距離。隨著?度的不同，我們可以探討在不同?度下，以及不同的電子分佈，由這些結果可以去推想在有源極和汲極偏壓時，這些導通電子在薄反轉層中運動，電子在元件z方向的影響。本程式考慮其量子化的特性(準二維電子)，用矩陣化的方式去得到以上的結果，同時也把電子間的交互作用考慮進去。 然後調整晶面，不同的晶面有不同的有效質量分佈，從而影響反轉層表面電荷厚度。最後再把不同材料加以計算比較，可以看到不同材料在相同的摻雜雜質數量下，有不同的表現。